記者黃詩雯／綜合報導
中國在半導體設備領域的進展再度引發關注。根據高盛最新報告，中國光刻機技術水準仍停留在65奈米世代，與美國及歐洲領先企業相比落後至少20年，而光刻設備正是推動晶片技術進步的核心關鍵。
中國光刻機技術水準仍停留在65奈米世代。（示意圖／pexels）
荷蘭ASML生產的先進EUV光刻機是全球高階晶片量產不可或缺的設備，但由於其大量使用美國零組件，美國政府能以出口管制限制其輸往中國。外媒《wccftech》指出，華為因制裁無法向台積電採購晶片，只能依靠中芯國際（SMIC），但SMIC在缺乏EUV設備的情況下僅能利用較舊的DUV設備生產7奈米晶片。
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高盛分析，光刻技術的核心在於將極微小的電路圖案精確轉印至晶圓，進一步提升晶片效能。ASML的EUV與High-NA EUV技術可實現更細緻設計，使台積電等領先業者已量產3奈米產品，並正積極推進2奈米。
報告也強調，ASML從65奈米躍進至3奈米以下，花費約20年時間及400億美元研發和資本支出。以中國目前的技術進度來看，短期內難以追趕，若要達到與ASML相同水準，至少還需20年。
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